上海PRX整流管R7004005大功率变流器***详细介绍

整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。

整流二极管常用参数： 1、大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A； 2、高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V； 3、大反向电流IR：它是二极管在高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好； 4、击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值； 5、高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中； 6、反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及大反向瞬态电压下的反向恢复时间； 7、零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。

整流二极管检查方法： 首先将整流器中的整流二极管全部拆下，用万用表的100×R或1000×R欧姆档，测量整流二极管的两根引出线(头、尾对调各测一次)。若两次测得的电阻值相差很大，例如电阻值大的高达几百KΩ到无穷大，而电阻值小的仅几百Ω甚至更小，说明该二极管是好的(发生了软击穿的二极管除外)。若两次测得的电阻值几乎相等，而且电阻值很小，说明该二极管已被击穿损坏，不能使用。如果两次测量的阻值都是无穷大，说明此二极管已经内部断开，不能使用。

整流二极管的根本构造是 PN 结 （ P 型半导体和 N 型半导体联系后 ， 在两者的联系而构成一个很薄的空间电荷区，这就是PN结）。在 PN 结的空间电荷内 ，电子元件势能发生了变化 ，电子要从 N 区到 P 区有必要越过一个能量高坡 （ 通常称为势垒） ，因而又把空间电荷区称为势垒区 。当PN结加正向电压时，势垒降低，呈现低电阻，具有较大的正向分散电流，称该状况为正导游通状况。当PN结加反向电压时，势垒增加，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流 ，称该状况为反向阻断状况 ，此刻 PN 结处于反向偏置状况。

整流二极管是面触摸型二极管，结面积较大，能接受较大的正向电流和较高的反向电压，功能比较稳定，首要用在把沟通电变换成直流电的整流电路中。整流二极管的结电容较大 ，因而它不宜作业在高频电路中 。整流二极管用半导体或硅等资料制成 ，具有显着的单导游电性。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温功能杰出。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制作（掺杂较多时简单反向击穿）。整流二极管有金属和塑料两种封装。整流二极管的首要技术参数包含大整流电流 、大反向作业电压、反向饱和电流高作业频率及反向恢复时间等 。

二极管主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线。 ⒈正向特性 当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏）， 管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电 二极管伏安特性曲线 二极管伏安特性曲线 压再稍微，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为 0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 ⒉反向特性 二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变 ，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线Ⅱ段）。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅 管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大， 锗管的稳定性比硅管差。 ⒊击穿特性 当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压 称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1 伏到几百伏，甚达数千伏。 ⒋频率特性 由于结电容的存在，当频***到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电 性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。