可控硅的特性：常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等； 可控硅的主要参数有： 1、 额定通态平均电流在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值； 2、 正向阻断峰值电压：在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值； 3、 反向阻断峰值电压：当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值； 4、 触发电压在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的小控制极电流和电压； 5、 维持电流：在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。

可控硅使用注意事项： 1、外加电压极性要正确，即阳极到阴极之间加正向电压，控制极到阴极之间也加正向电压； 2、为了***可控硅安全工作，应选择额定耐压为实际工作电压的2~3倍，正向平均电流为实际工作电流的1.5~@倍的管子； 3、为了***可控硅可靠地导通．应尽量用大的触发电压和触发电流，因眺电压、电流较大可以相应降低可控硅的转折导通电压。比如额定触发电压为2.5V的，可使用4.5V以上的电压，但为防止PN结烧毁．—般以不超过10V为好； 4、焊接或紧固可控硅时，必须***电气接触良好，否则因侧啪接触电阻就会引起很大的功率消耗； 5、可控硅的保护方法：一是散热，可控硅是大功率器件，散热是一个突出的问题，规定20A以下的可控硅靠自身散热器自然散热，20A以上的大电流可控硅则必须强迫冷却，其方法有风冷和水冷散热。二是过流保护，虽然在选择可控硅时已留有余量，但也可能出现超过额定值的情况，为此可在可控硅阳极或阴极串联一个熔断器，应选快速熔断器，如RSL、RSO、RSS等型号； 6、可控硅损坏后的修理：如果是可控硅性能变坏引起误导通，造成电器工作时好时坏，只要确认其它元件无问题，则可暂时拆去可控硅不用，待买到同型号可控硅时再捍上使用；根据可控硅的结构特点和原理，可用合适参数的三极管组成复合管代用；可以选择同型号或相同参数(正反向重复峰值电压、额定正向平均电压、控制极触发电压和电流)的可控硅代换，各种型号的进口可控硅均可用国产可控硅代换，代换时要注意外形尺寸相近，以便安装。

晶闸管的检测 1、判别各电极：根据普通晶闸管的结构可知，其门极G与阴极K极之间为一个PN结，具有单向导电特性，而阳极A与门极之间有两个反极性串联的PN结。因此，通过用万用表的R×100或R×1 k Q档测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值，即能确定三个电极。具体方法是：将万用表黑表笔任接晶闸管某一极，红表笔依次去触碰另外两个电极。若测量结果有一次阻值为几千欧姆(kΩ)，而另一次阻值为几百欧姆(Ω)，则可判定黑表笔接的是门极G。在阻值为几百欧姆的测量中，红表笔接的是阴极K，而在阻值为几千欧姆的那次测量中，红表笔接的是阳极A，若两次测出的阻值均很大，则说明黑表笔接的不是门极G，应用同样方法改测其他电极，直到找出三个电极为止。也可以测任两脚之间的正、反向电阻，若正、反向电阻均接近无穷大，则两极即为阳极A和阴极K，而另一脚即为门极G。普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。 螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为阴极K。平板形普通晶闸管的引出线端为门极G，平面端为阳极A，另一端为阴极K。金属壳封装(T0—3)的普通晶闸管，其外壳为阳极A。塑封(T0—220)的普通晶闸管的中间引脚为阳极A，且多与自带散热片相连。 2、触发能力检测：对于小功率(工作电流为5 A以下)的普通晶闸管，可用万用表R×1档测量。测量时黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，此时表针不动，显示阻值为无穷大(∞)。用镊子或导线将晶闸管的阳极A与门极短路(见图2)，相当于给G极加上正向触发电压，此时若电阻值为几欧姆至几十欧姆(具体阻值根据晶闸管的型号不同会有所差异)，则表明晶闸管因正向触发而导通。再断开A极与G极的连接(A、K极上的表笔不动，只将G极的触发电压断掉)。若表针示值仍保持在几欧姆至几十欧姆的位置不动，则说明此晶闸管的触发性能良好。