封装外形:平板形 | 极数:二极 |
名称:平板式可控硅的制作方法
技术领域:
本实用新型涉及一种平板式可控硅。
背景技术:
可控硅又称晶间管,晶间管整流器具有耐压高、容量大、效***、控制特性好、体积小、寿命长等诸多优点,发展迅猛。在世纪应用中,大功率晶间管整流装置一般采用平板式可控硅,其特点是可作双面冷却。目前大功率平板式可控硅的封装普遍采用陶瓷外壳的封装结构形式,虽然陶瓷材料能够绝缘、耐热,但因为陶瓷工艺易碎、杂质难控制等特点,其加工要求非常高,且封装时需要经过焊接在内的多道工序,工艺复杂,成本高,封装后良率偏低,返工需破坏性地拆封。
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。
可控硅管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极
层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。
可控硅从外形主要有螺旋式、平板式和平底式三种,螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极:阳极、阴极和控制极。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
众所周知,晶闸管模块是晶体闸流管的简称,有的时候也叫可控硅整流器,以前还被叫做可控硅。晶闸管是由四层PNPN半导体构成的,它有着阳极、阴极和门极这三个极组成的。从工业上来说,普通的晶闸管基本的用途就是可控整流。就说大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果我们把二极管换成晶闸管,就可以构成可控整流电路、逆变、电机调速、电机励磁、无触点开关及自动控制等方面。
可控硅模块的优点:
可控硅模块体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装;结构重复性好,装置的机械设计可以简化,价格比分立器件低等诸多优点,因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧,并因此得到长足发展。
晶闸管是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个:阳,阴和门;晶闸管工作条件为:加正向电压且门有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。