整流二极管常用参数： 1、大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A； 2、高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V； 3、大反向电流IR：它是二极管在高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好； 4、击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值； 5、高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中； 6、反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及大反向瞬态电压下的反向恢复时间； 7、零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。

整流二极管是由硅半导体材料制成的，采用面接触型二极管结构，如图一所示。由于采用面接触结构，硅整流二极管的特点是工作频率低、允许的工作温度高，允许通过的正向电流大，反向击穿电压高。整流二极管在电路中的主要作用是将交流电变成直流电，以适应各种电子设备。

二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可 各种二极管的符号 各种二极管的符号 分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极 管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管 、旋转二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管 。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝 一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过 贴片二极管 贴片二极管 较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极 管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直 流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种***的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而 且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。