整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。

整流二极管检查方法： 首先将整流器中的整流二极管全部拆下，用万用表的100×R或1000×R欧姆档，测量整流二极管的两根引出线(头、尾对调各测一次)。若两次测得的电阻值相差很大，例如电阻值大的高达几百KΩ到无穷大，而电阻值小的仅几百Ω甚至更小，说明该二极管是好的(发生了软击穿的二极管除外)。若两次测得的电阻值几乎相等，而且电阻值很小，说明该二极管已被击穿损坏，不能使用。如果两次测量的阻值都是无穷大，说明此二极管已经内部断开，不能使用。

二极管主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线。 ⒈正向特性 当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏）， 管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电 二极管伏安特性曲线 二极管伏安特性曲线 压再稍微，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为 0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 ⒉反向特性 二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变 ，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线Ⅱ段）。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅 管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大， 锗管的稳定性比硅管差。 ⒊击穿特性 当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压 称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1 伏到几百伏，甚达数千伏。 ⒋频率特性 由于结电容的存在，当频***到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电 性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。

上海聚肯电子科技有限公司二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出 。 正向特性 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连 接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导 通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电 压”，又称“死区电压”，锗管约为0.1V，硅管约为0.5V）以后，二极管才能真正导通。导通 后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向 压降”。 反向特性 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流 流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍 然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压到某一数值， 反向电流会急剧，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。

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晶闸管的工作条件 由于晶闸管只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化： (1)晶闸管承受反向阳极电压时,无论门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。 (2)晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。 (3)晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,无论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。 (4)晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。