整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。

整流二极管损坏原因： 1、防雷、过电压保护措施不力。整流装置未设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电压而损坏整流管； 2、运行条件恶劣。间接传动的发电机组，因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求，使发电机长期处于高转速下运行，而整流管也就长期处于较高的电压下工作，促使整流管加速老化，并被过早地击穿损坏； 3、运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任，对外界负荷的变化(特别是在深夜零点至***天上午6点之间)不了解，或是当外界发生了甩负荷故障，运行人员没有及时进行相应的操作处理，产生过电压而将整流管击穿损坏； 4、设备安装或制造质量不过关。由于发电机组长期处于较大的振动之中运行，使整流管也处于这一振动的外力干扰之下；同时由于发电机组转速时高时低，使整流管承受的工作电压也随之忽高忽低地变化，这样便***加速了整流管的老化、损坏； 5、整流管规格型号不符。更换新整流管时错将工作参数不符合要求的管子换上或者接线错误，造成整流管击穿损坏； 6、整流管安全裕量偏小。整流管的过电压、过电流安全裕量偏小，使整流管承受不起发电机励磁回路中发生的过电压或过电流暂态过程峰值的而损坏。

整流二极管是面触摸型二极管，结面积较大，能接受较大的正向电流和较高的反向电压，功能比较稳定，首要用在把沟通电变换成直流电的整流电路中。整流二极管的结电容较大 ，因而它不宜作业在高频电路中 。整流二极管用半导体或硅等资料制成 ，具有显着的单导游电性。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温功能杰出。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制作（掺杂较多时简单反向击穿）。整流二极管有金属和塑料两种封装。整流二极管的首要技术参数包含大整流电流 、大反向作业电压、反向饱和电流高作业频率及反向恢复时间等 。

整流二极管是由硅半导体材料制成的，采用面接触型二极管结构，如图一所示。由于采用面接触结构，硅整流二极管的特点是工作频率低、允许的工作温度高，允许通过的正向电流大，反向击穿电压高。整流二极管在电路中的主要作用是将交流电变成直流电，以适应各种电子设备。

早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个 PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲， 晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间 电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流 和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。 晶体二极管，简称二极管（diode）；它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个 零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体 二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有 自建电场。当不存在外加电压时，由于PN 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引 起的漂移电流相等而处于电平衡状态

上海聚肯电子科技有限公司 正向性 外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用 ，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当 正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压而迅速上 升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的 正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长 ，二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的 正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。