KP晶闸管是一种用于控制电流的半导体器件，具有以下功能： 1. 开关功能：KP晶闸管可以在控制电压施加时通电，断电时截止，实现电流的开关控制。 2. 放大功能：KP晶闸管可以将微弱的控制电流放大为较大的电流，用于控制大功率电路。 3. 可控性：KP晶闸管的导通和截止状态可以通过控制电压的大小和极性来控制，具有可控性。 4. 高速开关：KP晶闸管具有快速的开关速度，可以在毫秒级别的时间内完成导通和截止状态的转换。 5. 低功耗：KP晶闸管在导通状态下具有较低的电压降和功耗，有助于提高电路的效率。 6. 可靠性：KP晶闸管具有较高的耐压和耐电流能力，可在恶劣的工作环境下长时间稳定工作。 综上所述，KP晶闸管的功能主要包括开关功能、放大功能、可控性、高速开关、低功耗和可靠性。这些功能使得KP晶闸管在电力控制、电子调速、电磁场控制等领域有着广泛的应用。

可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的快速接通或切断；实现将直流电变流电的逆变；将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，有体积小、效***、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有广泛的应用。 可控硅从外形上区分主要有螺旋式、平板式底式三种。螺旋式应用较多。 可控硅有三个----阳(A)、阴(C)和控制(G)，管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结，与只有一个PN结的硅整流二管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制的引入，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时，只要在控制加上很小的电流或电压，能控制很大的阳电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。 我们可以把从阴向上数的、二、三层看面是一只N管，而二、三、四层组成另一只PNP型晶体管。其中***、第三层为两管交迭共用。可画出图1的等效电路图。当在阳和阴之间加上一个正向电压E，又在控制G和阴C之间(相当BG2的基一射间)输入一个正的触发信号，BG2将产生基电流Ib2，经放大，BG2将有一个放大了β2倍的集电电流IC2。因为BG2集电与BG1基相连，IC2又是BG1的基电流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集电电流IC1送回BG2的基放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。事实上这一过程是“一触即发”的，对可控硅来说，触发信号加到控制，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。 可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG2基的电流已不只是初始的Ib2，而是经过BG1、BG2放大后的电流(β1*β2*Ib2)，这一电流远大于Ib2，足以保持BG2的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态，只有断开电源E或降低E的输出电压，使BG1、BG2的集电电流小于维持导通的小值时，可控硅方可关断。当然，如果E性反接，BG1、BG2受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，E接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正电压大到超过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。 可控硅这种通过触发信号(小触发电流)来控制导通(可控硅中通过大电流)的可控特性，正是它区别于普通硅整流二管的重要特征。

可控硅主要参数：电流 1、额定通态电流即大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2、反向重复峰值电压或断态重复峰值电压，俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏； 3、控制极触发电流，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安； 4、在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。